代表性的集成電路有襯底為硅單晶的雙極性Ic以及MOS IC(金屬一氧化物一半導體堆)等半導體集成電路。本節中將要討論以超高集成化(VLSI)和超高速化為方向而開發的這些半導體集成電路中絕緣薄膜所起的作用，以及伴隨著超I.SI化的發展，今后將提出什么樣的絕緣薄膜技術等。

　　半導體集成電路是在一個單晶基片上形成非常多的(已達10s元件/芯片)雙極晶體管和MOS晶體管等器件，為了發揮各自所定的功能，并用布線互相連結起來。

　　在這種半導體集成電路中，對絕緣薄膜的利用，可根據其作用和所要求的特性以及在膜形成工藝中所提出的條件，分類如下：

　?、倮鏜OS晶體管中的柵絕緣膜，利用了絕緣膜/半導體界面現象，由此可實現有源器件的功能;

　　②和器件相接觸，如覆蓋在晶體表面的SiOz膜，可以使晶體表面的化學性質以及電學性質不活潑，從而達到穩定器件特性的目的;

　　③如在器件之間的晶體表面上形成的SiOz膜，使器件之間電氣隔離并在表面上相互布線為目的的絕緣膜(場氧化膜);

　?、懿季€層之間電氣絕緣為目的的層間絕緣膜;

　?、輳奈锢淼暮突瘜W的角度保護器件為目的，在集成電路的表面上形成的作為表面覆蓋膜的絕緣膜;

　?、抻糜诩呻娐饭に嘰中，并用在雜質擴散、腐蝕、襯底表面氧化等進行局部工藝時的掩模等。